研究人员打破了磁记忆速度记录

自旋电子设备是传统计算机芯片的有吸引力的替代产品,可提供数字信息存储,该数字存储具有很高的能源效率,而且相对易于大规模生产。然而,与常规电子芯片相比,这些依赖于磁性存储器的设备仍然受到它们相对较慢的速度的阻碍。

在《自然电子》杂志上发表的一篇论文中,一个国际研究人员团队报告了一种磁化转换的新技术,该过程用于将信息“写入”到磁存储器中,该过程比最新技术快近100倍。自旋电子器件。这种进步可能会导致开发用于计算机芯片的超快速磁存储器,即使没有电源,该存储器也可以保留数据。

在这项研究中,研究人员报告说,使用极短的6皮秒电脉冲来切换具有高能效的磁性设备中薄膜的磁化强度。皮秒等于万亿分之一秒。

这项研究由法国国家科学研究中心(CNRS)的研究员乔恩·戈尔洪(Jon Gorchon)领导,该研究所在法国洛林大学让·拉莫尔大学(Jean Lamour)工作,并与法国电气工程和计算机科学教授Jeffrey Bokor合作加州大学伯克利分校和UC Riverside的机械工程以及材料科学与工程助理教授Richard Wilson。该项目始于加州大学伯克利分校,当时Gorchon和Wilson是Bokor实验室的博士后研究员。

在传统的计算机芯片中,二进制数据的0和1被存储为各个硅晶体管的“开”或“关”状态。在磁存储器中,可以将相同的信息存储为相反的磁化极性,通常将其视为“上”或“下”状态。这种磁性存储器是磁性硬盘存储器的基础,该技术用于在云中存储大量数据。

磁存储器的一个关键特征是数据是“非易失性”的,这意味着即使没有施加电功率,信息也会保留。

Gorchon说:“将磁存储器直接集成到计算机芯片中是一个长期的目标。” “这将允许在断电时保留片上本地数据,这将使信息的访问远比从远程磁盘驱动器中提取信息快得多。”

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